|
|
專家信息:
劉肅,男,回族,1953年6月出生,河北定州人,中共黨員,碩士學(xué)位;現(xiàn)任蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長(zhǎng),教授,微電子與固體電子學(xué)專業(yè)博士生導(dǎo)師。劉肅教授自1982年本科畢業(yè)留校以來,主要從事微電子學(xué)與固體電子學(xué)方向的研究。
社會(huì)兼職:
1.中國(guó)電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)委員;
2.中國(guó)物理學(xué)會(huì)表面與界面物理專業(yè)委員會(huì)委員;
3.中國(guó)電子學(xué)會(huì)高級(jí)會(huì)員;
4.甘肅物理學(xué)會(huì)常務(wù)理事;
5.中國(guó)高校實(shí)驗(yàn)物理教學(xué)研究會(huì)理事;
6.2006-2010年教育部高等學(xué)校物理學(xué)與天文學(xué)教學(xué)指導(dǎo)委員會(huì)——物理基礎(chǔ)課程教學(xué)指導(dǎo)分委員會(huì)委員;
7.《傳感技術(shù)學(xué)報(bào)》編委。
科學(xué)研究:
研究方向:
1. 半導(dǎo)體器件與集成電路;
2. 靜電感應(yīng)器件為主的電力電子器件;
3. 寬禁帶半導(dǎo)體薄膜材料及器件;
4. 有機(jī)發(fā)光器件及薄膜光伏電池。
承擔(dān)科研項(xiàng)目情況:
完成教育部科學(xué)技術(shù)研究重點(diǎn)項(xiàng)目“靜電感應(yīng)器件的結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵制造技術(shù)”;
目前正在承擔(dān)的科研項(xiàng)目有三項(xiàng),包括有甘肅省自然科學(xué)基金《碳化硅材料優(yōu)化的鈍化方法及鈍化機(jī)理的研究》;
教育部中青年骨干教師資助項(xiàng)目《優(yōu)化的碳化硅材料制備、鈍化法及SiC-Si器件研究》,《關(guān)于物理學(xué)科基礎(chǔ)課程兩個(gè)層次循環(huán)的探討與實(shí)踐》;
甘肅省科技廳項(xiàng)目《柵?陰極高耐壓特性的制造技術(shù)及其電力靜電感應(yīng)器件》。
研究成果:
他作為主持人或主要科制人先后完成的11項(xiàng)科研項(xiàng)目獲得省、部級(jí)以上成果鑒定;
主持的SITH動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)定方法和BSIT節(jié)能燈電子鎮(zhèn)流器的研制等五項(xiàng)科研成果通過甘肅省科委成果鑒定;
完成了國(guó)家“八五”科技攻關(guān)項(xiàng)目 電力SI器件工藝參數(shù)的調(diào)節(jié)及新型槽柵結(jié)構(gòu)的研究等兩項(xiàng)科研成果,并獲得電子工業(yè)部科技質(zhì)量司鑒定通過。
論文專著:
發(fā)表論文:
1《A static induction device manufactured by silicon direct bonding》,Semicond. Sci. Technol. 19 (May 2004) 819-822 Xin ‘an Chen,Su Liu,Qing’an Hang
2《 A study on electrical performance of static induction transistor with mixed I-V characteristics》半導(dǎo)體學(xué)報(bào),VOL.25.NO.3 Mar.2004王永順,劉肅,李思淵
3《Bright green organic light-emitting devices having a composite electron transport layer》Microelectronics Journal, Vol.37,Iss.9, Sep. 2006, 916-918,F(xiàn)angcong Wang, Su Liu , Jianlin Zhou, Shuo Sun, Bingli Qi and Guping Ou
4《The dielectric constant of materials effect the property of the OLED》Microelectronics Journal,Vol.38,Iss.2, Feb. 2007, 259-261,F(xiàn)angcong Wang , Su Liu, Chunlin Zhang
5《Influence of interface interruption on spin relaxation in GaAs (1 1 0) quantum wells》. Journal of Crystal Growth, 2007,301-302: 93-96. (SCI 和EI 收錄) L.S. Liu, W.X. Wang, Z.H. Li, B.L. Liu, H.M. Zhao, J. Wang, H.C. Gao, Z.W.Jiang, S. Liu, H. Chen, J.M. Zhou
6《Growth of AlGaAs on GaAs(110) by molecular beam epitaxy》. Applied Surface Science. LinSheng Liu, WenXin Wang, Su Liu, BaoLi Liu, HongMing Zhao, HanChaoGao, ZhongWei Jiang, Hong Chen, JunMing Zhou.
7《Low temperature synthesis and optical properties of ZnO nanowires》半導(dǎo)體學(xué)報(bào),VOL.28.NO.Oct.,2007。(EI 收錄) Chang Peng, Liu Su, Tang Ying
8《Study on combined channel parameters of a static induction transistor》 (SCI 收錄) Semicond. Sci. Technol. 22 ( 2007) 1-5 Tang Ying,Su Liu,Li Siyuan and Chang Peng
9《 Luminescence Property and Synthesis of Sulfur-doped ZnO Nanowires by Electrochemical Deposition》Chinese Journal of Chemical Physics ,2007,20(6):632-636 Xiu-hua Wang,Su Liu*,Peng Chang and Ying Tang
10《Synthesis of sulfur-doped ZnO nanowires by electrochemical deposition》 Materials Science in Semiconductor Processing, Volume 10, Issue 6, December 2007, Pages 241-245 X.H. Wang, S. Liu, P. Chang, Y. Tang
11《Influence of S incorporation on the luminescence property of ZnO nanowires by electrochemical deposition》 Physics Letters A, Volume 372, Issue 16, 14 April 2008, Pages 2900-2903 X.H. Wang, S. Liu, P. Chang, Y. Tang
12《Characteristics of β-SiC/Si heterojunction with a SiGe buffer film》 Microelectronics Journal, Volume 39, Issue 8, August 2008, Pages 1080-1082 1080-1082 Caizhen Zhang, Su Liu
13 應(yīng)用于A/D轉(zhuǎn)換器中的基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì) 劉肅; 劉豐 通信電源技術(shù) 2003-10-25
14 具有混合I- V特性的靜電感應(yīng)晶體管的電性能(英文) 王永順; 劉肅; 李思淵; 胡冬青 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2004-03-08
15 硅-硅直接鍵合制造靜電感應(yīng)器件 陳新安; 劉肅; 黃慶安 電力電子技術(shù) 2004-04-25
16 硅/硅直接鍵合的界面應(yīng)力 陳新安; 黃慶安; 李偉華; 劉肅 微納電子技術(shù) 2004-10-15
17 一種新型二元判定圖器件和電路 陸江; 吳南健; 劉肅; 鄺小飛 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005-01-08
18 靜電感應(yīng)晶體管的空間電荷效應(yīng)(英文) 陳金伙; 劉肅; 王永順; 李思淵; 張福甲 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005-03-08
19 碳化硅材料在微電子機(jī)械系統(tǒng)中的應(yīng)用 劉肅; 唐瑩; 李思淵 微納電子技術(shù) 2002-08-25
20 SiCN薄膜的制備及其性能研究 馬紫微 ; 謝二慶; 林洪峰; 寧長(zhǎng)春; 劉肅; 賀德衍 功能材料與器件學(xué)報(bào) 2002-12-30
21 SITH負(fù)阻轉(zhuǎn)折特性的分析模型 姜巖峰; 李思淵; 劉肅 半導(dǎo)體技術(shù) 2000-04-13
22 用SIPOS-SiO_2復(fù)合層對(duì)4H-SiCn~+pp~+結(jié)構(gòu)鈍化的分析 姜巖峰; 李思淵; 劉肅; 曹磊; 薄建軍 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2000-07-08
23 SITH耐壓容量的控制和調(diào)節(jié) 姚琢; 薛偉東; 劉肅 蘭州大學(xué)學(xué)報(bào) 2001-10-30
24 Al/SiC肖特基勢(shì)壘二極管 劉肅; 寧長(zhǎng)春; 孫艷玲 電力電子技術(shù) 2002-10-25
25 靜電感應(yīng)晶體管(SIT)作用機(jī)制的理論研究 李思淵; 孫卓; 劉肅 電力電子技術(shù) 1994-05-01
26 電力SITH動(dòng)態(tài)測(cè)試原理與計(jì)算方法 劉肅; 李思淵; 康寧 電力電子技術(shù) 1994-05-01
27 靜電感應(yīng)晶閘管(SITH)的理論分析 李思淵; 劉瑞喜; 劉肅; 楊建紅; 李成 半導(dǎo)體技術(shù) 1995-08-13
28 靜電感應(yīng)晶閘管(SITH)的理論分析(續(xù)) 李思淵; 劉瑞喜; 劉肅; 楊建紅; 李成 半導(dǎo)體技術(shù) 1995-10-13
29 靜電感應(yīng)晶閘管(SITH)溝道勢(shì)壘的分析 李思淵; 劉瑞喜; 李成; 席傳裕; 劉肅; 楊建紅 蘭州大學(xué)學(xué)報(bào) 1995-12-22
30 BSIT開態(tài)的數(shù)值分析 李思淵; 劉瑞喜; 李成; 韓永召; 劉肅 半導(dǎo)體技術(shù) 1996-02-13
31 BSIT開啟特性的研究 李思淵; 劉瑞喜; 李成; 劉肅; 楊建紅; 韓永召 蘭州大學(xué)學(xué)報(bào) 1996-06-22
32 復(fù)合結(jié)構(gòu)的靜電感應(yīng)器件 李思淵; 劉肅; 劉瑞喜; 楊建紅 應(yīng)用科學(xué)學(xué)報(bào) 1996-06-30
33 雙極型靜電感應(yīng)晶體管開關(guān)時(shí)間的測(cè)量與分析 姜巖峰; 李思淵; 李海蓉; 劉肅 半導(dǎo)體技術(shù) 1998-10-14
34 Co中Co~(59)的核磁共振信號(hào)與磁化機(jī)構(gòu)的關(guān)系 張一德 ; 黃陸加; 劉肅; 楊金發(fā) 蘭州大學(xué)學(xué)報(bào) 1986-04-02
35 SITH交流電子調(diào)節(jié)器的研制 康寧; 王迎春; 劉肅; 桑保生 半導(dǎo)體技術(shù) 1991-10-28
36 硅/硅直接鍵合制造雙極型靜電感應(yīng)晶體管 李思淵; 桑保生; 劉肅; 楊建紅 半導(dǎo)體技術(shù) 1991-12-27
37 視頻解碼器中多路并行輸出的硬件實(shí)現(xiàn) 陳溶波; 劉肅; 尹曉麗; 2009系統(tǒng)仿真技術(shù)及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集 2009-08-01
38 藍(lán)寶石(0001)襯底上p-3C-SiC歐姆接觸的研究 孫艷玲; 孫國(guó)勝; 劉肅 ; 王雷; 趙萬順; 羅木昌; 曾一平; 林蘭英; 2002年材料科學(xué)與工程新進(jìn)展(下)——2002年中國(guó)材料研討會(huì)論文集 2002 -10-01
39 硫摻雜ZnO納米線的電化學(xué)制備及發(fā)光特性 王秀華; 常鵬; 陳溶波; 尹小麗; 劉肅; 第十六屆全國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集 2007-09-01
40 硅-硅鍵合界面氧化層模型與雜質(zhì)分布的模擬 陳新安; 黃慶安; 劉肅; 李偉華; 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2006-03-25
41 一種新穎的功率集成電路的過流保護(hù)設(shè)計(jì) 廖永波; 劉肅; 李平; 電力電子技術(shù) 2006-10-20
42 H.264 和AVS多模視頻解碼器中運(yùn)動(dòng)矢量預(yù)測(cè)的硬件實(shí)現(xiàn) 謝朝輝; 馮燕; 李謙; 劉肅; 微電子學(xué)與計(jì)算機(jī) 2006 -11-05
43 靜電感應(yīng)晶閘管的負(fù)阻轉(zhuǎn)折特性 唐瑩; 劉肅; 李思淵; 胡冬青; 常鵬; 楊濤; 電子器件 2007-02-28
44 視頻解碼芯片中去塊效應(yīng)環(huán)路濾波的硬件實(shí)現(xiàn) 馮燕; 劉肅; 謝朝輝; 計(jì)算機(jī)工程 2007-04-05
45 CMOS硅風(fēng)速傳感器熱性能的分析 郁紅; 劉肅 ; 微納電子技術(shù) 2007-04-15
46 GaAs(110)量子阱的電子自旋弛豫 劉林生; 劉肅; 王文新; 趙宏鳴; 劉寶利; 高漢超; 蔣中偉; 王佳; 黃慶安; 陳弘; 周均銘; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2007 -06-15
47 一種新型結(jié)構(gòu)的靜電感應(yīng)晶體管 唐瑩; 劉肅; 李思淵; 吳蓉; 常鵬; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2007-06-15
48 P型SiC歐姆接觸高溫可靠性的研究進(jìn)展 趙晨光; 劉肅; 姜巖峰; 電力電子技術(shù) 2007-06-20
49 半導(dǎo)體自旋電子學(xué)的研究與應(yīng)用進(jìn)展 劉林生; 劉肅; 王文新; 趙宏鳴; 劉寶利; 蔣中偉; 高漢超; 王佳; 陳弘; 周均銘; 電子器件 2007-06-15
50 GaAs(110)量子阱材料生長(zhǎng)和光學(xué)特性 劉林生; 劉肅; 王文新; 趙宏鳴; 劉寶利; 蔣中偉; 高漢超; 王佳; 黃慶安; 陳弘; 周均銘; 光學(xué)精密工程 2007-05-15
51 關(guān)于RHEED振蕩技術(shù)優(yōu)化GaAs(110)量子阱生長(zhǎng)的研究 劉林生; 劉肅 ; 王文新; 趙宏鳴; 劉寶利; 蔣中偉; 高漢超; 王佳; 黃慶安; 陳弘; 周均銘; 物理學(xué)報(bào) 2007-06-15
52 水熱法制備硫化鋅納米線及性能研究 常鵬; 劉肅; 王秀華; 唐瑩; 人工晶體學(xué)報(bào) 2007-08-15
53 用分子束外延技術(shù)在GaAs(110)襯底上生長(zhǎng)AlGaAs材料 劉林生; 王文新; 劉肅; 趙宏鳴; 劉寶利; 蔣中偉; 高漢超; 王佳; 黃慶安; 陳弘; 周均銘; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2007-09-15
54 ZnO納米線的低溫生長(zhǎng)及其發(fā)光特性(英文) 常鵬; 劉肅; 陳溶波; 唐瑩; 韓根亮; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2007-10-15
55 LiF作電子注入緩沖層對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件電容的影響(英文) 李穎弢; 劉肅; 王方聰; 張春林; 岳紅菊; 液晶與顯示 2007-10-15
56 槽柵型肖特基勢(shì)壘靜電感應(yīng)晶體管 楊濤; 劉肅; 李思淵; 王永順; 李海蓉; 半導(dǎo)體技術(shù) 2008-01-03
57 靜電感應(yīng)晶閘管的I-V特性物理分析 魏萬印; 劉肅; 李海蓉; 電力電子技術(shù) 2008-12-20
58 電場(chǎng)輔助電化學(xué)法沉積ZnO納米線 常鵬; 劉肅 ; 陳容波; 唐瑩; 韓根亮; 人工晶體學(xué)報(bào) 2008-02-15
59 CMOS SnO_2氣體傳感器模型與熱仿真 席彩紅; 劉肅; 傳感器與微系統(tǒng) 2008-04-20
60 SiGe緩沖層對(duì)β-SiC(n)/c-Si(p)異質(zhì)結(jié)特性的影響 張彩珍; 劉肅; 陳永剛; 吳蓉; 劉春娟; 蘭州交通大學(xué)學(xué)報(bào) 2008-08-15
61 雙膜片結(jié)構(gòu)光纖光柵地震檢波器低頻特性的研究 李學(xué)成; 劉肅; 張文濤; 張發(fā)祥; 李芳; 劉育梁; 光電子.激光 2010-04-15
62 基于I-V特性的阻變存儲(chǔ)器的阻變機(jī)制研究 李穎弢; 劉明; 龍世兵; 劉琦; 張森; 王艷; 左青云; 王琴; 胡媛; 劉肅; 微納電子技術(shù) 2009-03-15
63 濾波器中乘法器的優(yōu)化設(shè)計(jì) 郭春鵬; 袁筱林; 劉肅; 計(jì)算機(jī)工程與設(shè)計(jì) 2009-05-16
64 臺(tái)面刻蝕深度對(duì)埋柵SITH柵陰擊穿的影響 岳紅菊; 劉肅; 王永順; 李海蓉; 半導(dǎo)體技術(shù) 2009-06-03
65 一種 CMOS SnO_2氣體微傳感器的設(shè)計(jì) 劉春娟; 王永順; 劉肅; 吳蓉; 張彩珍; 半導(dǎo)體技術(shù) 2009 -07-03
66 基于P-N結(jié)的硅太陽能電池的數(shù)值分析 張彩珍; 劉肅; 陳永剛; 蘭州交通大學(xué)學(xué)報(bào) 2009-08-15
67 高度擇優(yōu)取向單晶氧化鋅納米線的制備與發(fā)光特性 尹曉麗; 劉肅; 王秀華; 陳溶波; 甘肅科技 2009-09-08
68 靜電感應(yīng)晶閘管的負(fù)阻轉(zhuǎn)折特性分析 張榮; 劉肅 ; 李海蓉; 半導(dǎo)體技術(shù) 2009-11-03
69 基于功率MOS線性高壓放大器設(shè)計(jì) 張浩; 王立新; 陸江; 劉肅; 現(xiàn)代電子技術(shù) 2010-01-15
70 MOS與雙極型兩級(jí)放大器的性能差異分析 劉肅; 劉豐 電力電子技術(shù) 2003-10-25
71 MEMS薄膜磁學(xué)特性的在線測(cè)試結(jié)構(gòu) 劉林生 ; 劉肅; 黃慶安 微納電子技術(shù) 2005-04-15
72 CMOS離子敏場(chǎng)效應(yīng)管SPICE模型 劉肅; 韓富強(qiáng); 于峰崎 傳感器技術(shù) 2005-10-20
榮譽(yù)獎(jiǎng)勵(lì):
1.獲得甘肅省高校科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)兩次;
2.獲電子行業(yè)“八五”國(guó)家科技攻關(guān)重大科技成果獎(jiǎng)一次,
3.獲得電子行業(yè)“八五”國(guó)家科技攻關(guān)先進(jìn)個(gè)人獎(jiǎng)一次;
4.獲電子工業(yè)部科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)一次。
資料更新中……
發(fā)明專利:
1 MEMS磁性能在線測(cè)試結(jié)構(gòu) 劉肅; 劉林生; 黃慶安; 李偉華 蘭州大學(xué) 2008-04-02
2 正交環(huán)形天線 李壽嵩; 張金生; 李斌穎; 劉肅 蘭州大學(xué) 1992-11-25
3 復(fù)合結(jié)構(gòu)的晶體管制造方法及晶體管 李思淵; 楊建紅; 何山虎; 劉肅; 劉瑞喜; 桑保生; 畢祥林; 卓肇龍; 馬淑萍; 盧小瑩; 馬中華; 楊利成; 任立 蘭州大學(xué) 1998-08-12
4 一種靜電感應(yīng)器件及其制造方法 李思淵; 何山虎; 李壽嵩; 唐金科; 張秀文; 張旗; 劉肅; 畢祥林; 盧小瑩; 田仁杰 蘭州大學(xué) 1998-09-02
5 靜電感應(yīng)器件及其制造方法 李思淵; 何山虎; 劉瑞喜; 孟雄暉; 劉肅; 楊建紅; 姜巖峰; 孫志軍; 王林; 馬中華; 曹磊; 馬淑萍; 蘆小瑩; 任立; 楊利成; 畢祥林; 黃仕琴; 薛傳明; 張明蘭; 梁元濤 蘭州大學(xué) 2001-01-03
6 一種多槽結(jié)構(gòu)靜電感應(yīng)器件及其制備方法 李海蓉; 李思淵; 劉肅 ; 唐瑩; 李海霞 蘭州大學(xué) 2009-01-28
7 靜電感應(yīng)器件制造中的染磷技術(shù)及相匹配的外延工藝 李海蓉 ; 李思淵; 劉肅; 王永順; 唐瑩; 李海霞 蘭州大學(xué) 2009-07-15
資料更新中……
中國(guó)科技創(chuàng)新人物云平臺(tái)暨“互聯(lián)網(wǎng)+”科技創(chuàng)新人物開放共享平臺(tái)(簡(jiǎn)稱:中國(guó)科技創(chuàng)新人物云平臺(tái))免責(zé)聲明:
1、中國(guó)科技創(chuàng)新人物云平臺(tái)是:“互聯(lián)網(wǎng)+科技創(chuàng)新人物”的大型云平臺(tái),平臺(tái)主要發(fā)揮互聯(lián)網(wǎng)在生產(chǎn)要素配置中的優(yōu)化和集成作用,將互聯(lián)網(wǎng)與科技創(chuàng)新人物的創(chuàng)新成果深度融合于經(jīng)濟(jì)社會(huì)各領(lǐng)域之中,提升實(shí)體經(jīng)濟(jì)的創(chuàng)新力和生產(chǎn)力,形成更廣泛的以互聯(lián)網(wǎng)為基礎(chǔ)設(shè)施和實(shí)現(xiàn)工具的經(jīng)濟(jì)發(fā)展新形態(tài),實(shí)現(xiàn)融合創(chuàng)新,為大眾創(chuàng)業(yè),萬眾創(chuàng)新提供智力支持,為產(chǎn)業(yè)智能化提供支撐,加快形成經(jīng)濟(jì)發(fā)展新動(dòng)能,促進(jìn)國(guó)民經(jīng)濟(jì)提質(zhì)增效升級(jí)。
2、中國(guó)科技創(chuàng)新人物云平臺(tái)暨“互聯(lián)網(wǎng)+”科技創(chuàng)新人物開放共享平臺(tái)內(nèi)容來源于互聯(lián)網(wǎng),信息都是采用計(jì)算機(jī)手段與相關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)信息自動(dòng)匹配提取數(shù)據(jù)生成,并不意味著贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,如果發(fā)現(xiàn)信息存在錯(cuò)誤或者偏差,歡迎隨時(shí)與我們聯(lián)系,以便進(jìn)行更新完善。
3、如果您認(rèn)為本詞條還有待完善,請(qǐng)編輯詞條。
4、如果發(fā)現(xiàn)中國(guó)科技創(chuàng)新人物云平臺(tái)提供的內(nèi)容有誤或轉(zhuǎn)載稿涉及版權(quán)等問題,請(qǐng)及時(shí)向本站反饋,網(wǎng)站編輯部郵箱:kjcxac@126.com。
5、中國(guó)科技創(chuàng)新人物云平臺(tái)建設(shè)中盡最大努力保證數(shù)據(jù)的真實(shí)可靠,但由于一些信息難于確認(rèn)不可避免產(chǎn)生錯(cuò)誤。因此,平臺(tái)信息僅供參考,對(duì)于使用平臺(tái)信息而引起的任何爭(zhēng)議,平臺(tái)概不承擔(dān)任何責(zé)任。